MJD44H11-1G

功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

配置:

晶体管极性:PNP

集电极—基极电压 VCBO:

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V

集电极—射极饱和电压:

最大直流电集电极电流:

增益带宽产品fT:

直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A

最大工作温度:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • MJD44H11-1G
  • 32500
  • ONS
  • 16+
  • DPAK-3
  • 全新原装现货库存 
  • 立即询价
  • MJD44H11-1G
  • 237852
  • ON SEMICONDUCTOR
  • 2022+
  •  
  • 全新原装正品,手机18766039713 
  • 立即询价
  • MJD44H11-1G
  • 20000
  • FAICRCHILD
  • 2013
  • TO-251
  • ★100%原装★★100%低价★★100%满意★ 
  • 立即询价